[实用新型]一种磁控溅射靶屏蔽装置有效

专利信息
申请号: 201520298266.9 申请日: 2015-05-11
公开(公告)号: CN204676145U 公开(公告)日: 2015-09-30
发明(设计)人: 郁哲;孟彬;孔明;吴健;张益欣;周海铭;梁小龙 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 实用新型涉及一种磁控溅射屏蔽装置,属于高真空磁控溅射镀膜领域。本实用新型所述磁控溅射靶屏蔽罩包括磁控溅射靶屏蔽罩、磁控溅射靶屏蔽垫圈,磁控溅射靶屏蔽罩安装在铜冷却板的侧壁上,磁控溅射靶屏蔽垫圈放置在磁控溅射靶屏蔽罩上,开口对准沉积基片;磁控溅射靶与磁控溅射靶屏蔽罩、磁控溅射靶与磁控溅射靶屏蔽垫圈之间上下的距离均为2-3mm,磁控溅射靶屏蔽垫圈的外孔直径与磁控溅射靶屏蔽罩开孔大小一致,内直径为25~50mm。本实用新型通过放置不同内径大小的屏蔽垫圈控制靶面有效刻蚀区域,可以用小尺寸的靶材替代大尺寸靶材,最终实现在保护阴极装置的前提下减少靶材使用量,有效降低靶材费用。
搜索关键词: 一种 磁控溅射 屏蔽 装置
【主权项】:
一种磁控溅射靶屏蔽装置,其特征在于:所述磁控溅射靶屏蔽罩包括磁控溅射靶屏蔽罩(7)、磁控溅射靶屏蔽垫圈(8),磁控溅射靶屏蔽罩(7)安装在铜冷却板(5)的侧壁上,磁控溅射靶屏蔽垫圈(8)放置在磁控溅射靶屏蔽罩(7)上,开口对准沉积基片(1);磁控溅射靶(2)与磁控溅射靶屏蔽罩(7)、磁控溅射靶(2)与磁控溅射靶屏蔽垫圈(8)之间上下的距离均为2‑3mm,磁控溅射靶屏蔽垫圈(8)的外孔直径与磁控溅射靶屏蔽罩(7)开孔大小一致,内直径为25~50mm。
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