[实用新型]用于倒装LED芯片的衬底以及外延片有效
申请号: | 201520304312.1 | 申请日: | 2015-05-12 |
公开(公告)号: | CN204558512U | 公开(公告)日: | 2015-08-12 |
发明(设计)人: | 张昊翔;丁海生;李东昇;赵进超;黄捷;陈善麟;江忠永 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/12 | 分类号: | H01L33/12;H01L33/22;H01L33/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 余毅勤 |
地址: | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供了一种用于倒装LED芯片的衬底以及外延片。所述衬底包括氮化镓衬底材料以及具有图形化结构的介质层,所述介质层镶嵌于氮化镓衬底材料中。所述方法包括:在蓝宝石衬底上形成晶格匹配层;在晶格匹配层上形成具有图形化结构的介质层,所述介质层暴露出部分晶格匹配层;在晶格匹配层和介质层上生长氮化镓衬底材料,直至氮化镓衬底材料的应力使晶格匹配层和蓝宝石衬底完全脱离时停止;去除至少部分晶格匹配层。本实用新型提供的用于倒装LED芯片的衬底所采用的氮化镓衬底材料和镶嵌在氮化镓衬底材料中的介质层都具有提高内量子效率和外量子效率的双重功能。 | ||
搜索关键词: | 用于 倒装 led 芯片 衬底 以及 外延 | ||
【主权项】:
一种用于倒装LED芯片的衬底,其特征在于,包括氮化镓衬底材料以及镶嵌于所述氮化镓衬底材料中的具有图形化结构的介质层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州士兰明芯科技有限公司,未经杭州士兰明芯科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520304312.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:嵌入式复合PCB板
- 下一篇:设有保护层的铜铝复合光伏焊带