[实用新型]半导体制冷式微波功率放大器有效
| 申请号： | 201520312592.0 | 申请日： | 2015-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN204578470U | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 何激扬;戈建利 | 申请（专利权）人： | 成都锐思灵科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30;H03F3/20 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及了一种半导体制冷式微波功率放大器，包括放大器本体，其特征在于：还包括散热鳍片和半导体制冷片，多个半导体制冷片组成半导体制冷片阵列，所述半导体制冷片的冷面紧贴在放大器本体上表面，半导体制冷片的热面紧贴在散热鳍片下表面，所述散热鳍片固定在放大器本体上。本实用新型采用半导体制冷芯片阵列对微波功率放大器进行散热，散热效率高，温度相对稳定，为功率放大器的稳定运行提供保障。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制冷 式微 功率放大器 | ||
【主权项】：
一种半导体制冷式微波功率放大器，包括放大器本体，其特征在于：还包括散热鳍片和半导体制冷片，多个半导体制冷片组成半导体制冷片阵列，所述半导体制冷片的冷面紧贴在放大器本体上表面，半导体制冷片的热面紧贴在散热鳍片下表面。
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