[实用新型]温控半导体制冷式高功率微波功率放大器有效
申请号: | 201520313740.0 | 申请日: | 2015-05-15 |
公开(公告)号: | CN204578472U | 公开(公告)日: | 2015-08-19 |
发明(设计)人: | 何激扬;戈建利 | 申请(专利权)人: | 成都锐思灵科技有限公司 |
主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30;H03F3/20 |
代理公司: | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人: | 胡川 |
地址: | 610000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型涉及了一种温控半导体制冷式高功率微波功率放大器,其特征在于:包括微波功率放大器、半导体制冷片组、散热鳍片、散热风扇、温度传感器、控制器,所述半导体制冷片组的冷面紧贴微波功率放大器上表面,半导体制冷片组的热面紧贴散热鳍片底部,所述微波功率放大器外壳上设置温度传感器,所述温度传感器与控制器电连接,所述散热鳍片内设置散热风扇,所述散热风扇与控制器电连接。本实用新型采用半导体制冷芯片阵列对微波功率放大器进行散热,散热效果好,温度相对稳定,为功率放大器的稳定运行提供保障;对温度进行实时监控,从而控制散热风扇的转速,更加省电,也减少了风扇的损耗。 | ||
搜索关键词: | 温控 半导体 制冷 功率 微波 功率放大器 | ||
【主权项】:
一种温控半导体制冷式高功率微波功率放大器,其特征在于:包括微波功率放大器、半导体制冷片组、散热鳍片、散热风扇、温度传感器、控制器,所述半导体制冷片组的冷面紧贴微波功率放大器上表面,半导体制冷片组的热面紧贴散热鳍片底部,所述微波功率放大器外壳上设置温度传感器,所述温度传感器与控制器电连接,所述散热鳍片内设置散热风扇,所述散热风扇与控制器电连接。
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