[实用新型]一种具有分离式集电极的平面栅IGBT有效
| 申请号： | 201520316286.4 | 申请日： | 2015-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN204577432U | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 李晓平;刘江;赵哿;高明超;王耀华;刘钺杨;吴迪;何延强;李立;乔庆楠;曹功勋;董少华;金锐;温家良 | 申请（专利权）人： | 国网智能电网研究院;国网浙江省电力公司;国家电网公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/417;H01L21/28;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102211 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种具有分离式集电极的平面栅IGBT，包括衬底、依次设置在衬底上的正面金属电极、隔离氧化膜和平面栅极，平面栅极与衬底之间的P阱区，依次设置于P阱区内N+型掺杂区和P+型掺杂区，依次设置于衬底背面的背面N型低掺杂缓冲区和背面P+集电区，在背面P+集电区上设有采用绝缘介质填充的背面凹槽，背面凹槽深度大于、等于或小于背面P+集电区的厚度，绝缘介质完全或部分填充凹槽，绝缘介质与P+集电区有交叠，本实用新型在传统的平面栅型IGBT基础上，通过增加浅凹槽或氧化层隔离结构形成分离式集电极，此结构有效抑制IGBT器件的空穴注入效率，避免过大的反向恢复电荷；有效抑制IGBT器件关断过程中的拖尾电流，降低关断损耗，使得开关速度更快。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 分离 集电极 平面 igbt | ||
【主权项】：
一种具有分离式集电极的平面栅IGBT，所述平面栅IGBT包括衬底、从上到下依次设置在衬底上的正面金属电极、隔离氧化膜和平面栅极，平面栅极与衬底之间的P阱区，从上到下依次设置于P阱区内N+型掺杂区和P+型掺杂区，依次设置于衬底背面的背面N型低浓度掺杂缓冲区和背面P+集电区；其特征在于，在背面P+集电区上设有采用绝缘介质填充的背面凹槽，所述背面凹槽深度大于、等于或小于背面P+集电区的厚度，所述绝缘介质完全或者部分填充凹槽，所述绝缘介质与P+集电区有交叠，以避免背面金属电极和N型材料接触。
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