[实用新型]一种InGaN/GaN量子阱界面中断生长外延结构有效
| 申请号： | 201520316981.0 | 申请日： | 2015-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN204696142U | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | 徐丽萍 | 申请（专利权）人： | 上海世湖材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区临港*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提出一种InGaN/GaN量子阱界面中断生长外延结构，所述外延结构依次包括蓝宝石衬底、低温GaN成核层、非故意掺杂高温GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层，所述外延结构的特征在于，所述多量子阱层中InGaN层依次包括InN层和InGaN层，所述InN层是在InGaN量子阱初期周期性地通入/停止TMIn进入反应室生长而成。所述外延结构有效提高InGaN量子阱初期In组分，使得InGaN量子阱中In组分更加均匀，界面更加陡峭，从而提高LED波长均匀性和发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ingan gan 量子 界面 中断 生长 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种InGaN/GaN量子阱界面中断生长外延结构，所述外延结构依次包括蓝宝石衬底、低温GaN成核层、非故意掺杂高温GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层，所述外延结构的特征在于，所述多量子阱层中InGaN层依次包括InN层和InGaN层，所述InN层是在InGaN量子阱初期周期性地通入/停止TMIn进入反应室生长而成。
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