[实用新型]一种LED芯片有效

专利信息
申请号: 201520342487.1 申请日: 2015-05-25
公开(公告)号: CN204651341U 公开(公告)日: 2015-09-16
发明(设计)人: 徐平;苗振林;戚运东 申请(专利权)人: 湘能华磊光电股份有限公司
主分类号: H01L33/22 分类号: H01L33/22
代理公司: 北京爱普纳杰专利代理事务所(特殊普通合伙) 11419 代理人: 何自刚
地址: 423038 湖南省郴*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 实用新型提供一种LED芯片包括:衬底、n型GaN层、P型GaN层、P型电极和N型电极,其中,所述n型GaN层,设置在衬底上,所述n型GaN层远离所述衬底的表面设置为台阶面;所述台阶面包括:n型GaN层顶端平铺的第一表面、竖直的第二表面和底端平铺的第三表面,所述第二表面设置为锯齿状;所述P型GaN层,设置在第一表面上;所述P型电极,设置在P型GaN层远离所述衬底的表面上;所述N型电极,设置在第三表面上。该LED芯片增加了其光出射的几率,从而提高了LED的发光效率。
搜索关键词: 一种 led 芯片
【主权项】:
一种LED芯片,其特征在于,包括:衬底、n型GaN层、P型GaN层、P型电极和N型电极,其中,所述n型GaN层,设置在衬底上,所述n型GaN层远离所述衬底的表面设置为台阶面;所述台阶面包括:n型GaN层顶端平铺的第一表面、竖直的第二表面和底端平铺的第三表面,其中,所述第二表面设置为锯齿状;所述P型GaN层,设置在第一表面上;所述P型电极,设置在P型GaN层远离所述衬底的表面上;所述N型电极,设置在第三表面上。
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