[实用新型]一种GaN晶体生长装置有效
| 申请号： | 201520345573.8 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN204714948U | 公开（公告）日： | 2015-10-21 |
| 发明（设计）人： | 陈蛟;李成明;刘南柳;巫永鹏;罗睿宏;李顺峰;张国义 | 申请（专利权）人： | 北京大学东莞光电研究院 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B35/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 罗晓林 |
| 地址： | 523000 广东省东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种GaN晶体生长装置，包括高压釜，该高压釜内装设有坩埚，该坩埚内填充有晶体生长溶液，坩埚内放置有位于晶体生长溶液内的GaN籽晶，所述坩埚内设有浮在晶体生长溶液上的漂浮体，GaN籽晶生长面的背面与该漂浮体连接，漂浮体利用浮力带着GaN籽晶漂浮在晶体生长溶液上。本实用新型通过使GaN籽晶漂浮于高N浓度生长溶液顶部区域,GaN晶体可在生长溶液顶部区域的N过饱和溶液下高速率高质量生长，相对于传统的低N浓度生长溶液底部区域GaN晶体生长，顶部区域不仅为GaN晶体生长提供了丰沛的N源而快速生长，而且还有利于避免生长溶液顶部区域GaN自发形核产生多晶的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 晶体生长 装置 | ||
【主权项】：
一种GaN晶体生长装置，包括高压釜，该高压釜内装设有坩埚，该坩埚内填充有晶体生长溶液，坩埚内放置有位于晶体生长溶液内的GaN籽晶，其特征在于，所述坩埚内设有浮在晶体生长溶液上的漂浮体，GaN籽晶生长面的背面与该漂浮体连接，漂浮体带着GaN籽晶漂浮在晶体生长溶液上。
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