[实用新型]半导体激光器单片式宏通道热沉及半导体激光器有效
申请号: | 201520348393.5 | 申请日: | 2015-05-26 |
公开(公告)号: | CN204706766U | 公开(公告)日: | 2015-10-14 |
发明(设计)人: | 崔卫军;卢广 | 申请(专利权)人: | 北京弘光浩宇科技有限公司 |
主分类号: | H01S5/024 | 分类号: | H01S5/024 |
代理公司: | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 赵慧;高翔 |
地址: | 100096 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种半导体激光器单片式宏通道热沉及半导体激光器,包括热沉主体,热沉主体上设有芯片安装区和水冷区,芯片安装区位于热沉主体的一端,水冷区位于靠近芯片安装区的位置,所述水冷区上设有贯通热沉主体的格栅;格栅由至少两个平行排列的格栅孔组成,每个格栅孔包括两个相互平行的侧壁以及用于衔接两个侧壁的衔接端。该热沉具有高效、均匀的散热效果。本实用新型还相应提供了含有该热沉的半导体激光器。 | ||
搜索关键词: | 半导体激光器 单片 通道 | ||
【主权项】:
半导体激光器单片式宏通道热沉,包括热沉主体(1),热沉主体(1)上设有芯片安装区(2)和水冷区(3),芯片安装区(2)位于热沉主体(1)的一端,水冷区(3)位于靠近芯片安装区(2)的位置,其特征在于,所述水冷区(3)上设有贯通热沉主体(1)的格栅;格栅由至少两个平行排列的格栅孔(4)组成,每个格栅孔(4)包括两个相互平行的侧壁(41)以及用于衔接两个侧壁(41)的衔接端(42)。
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