[实用新型]透明导电性薄膜有效

专利信息
申请号: 201520382370.6 申请日: 2015-06-04
公开(公告)号: CN204706006U 公开(公告)日: 2015-10-14
发明(设计)人: 藤野望;加藤大贵;梨木智刚 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041;H01B5/14
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 实用新型提供透明导电性薄膜,其透明性和处理性良好、且电阻率更小。透明导电性薄膜(1)至少依次具有聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(2)、固化层(3)、无机硅氧化物层(4)及铟-锡氧化物层(5)。聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(2)的厚度为40μm~130μm。并且固化层(3)在该固化层内具备多个无机颗粒(3b)。固化层(3)的厚度(dA)与无机硅氧化物层(4)的厚度(dB)的总和为300nm以上并且不足3000nm。无机硅氧化物层(4)的厚度超过15nm,铟-锡氧化物层(5)的厚度为15nm以上并且50nm以下,且其表面的中心线平均粗糙度Ra为0.1nm以上并且不足2nm。
搜索关键词: 透明 导电性 薄膜
【主权项】:
一种透明导电性薄膜,其特征在于,至少依次具有聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、固化层、无机硅氧化物层及铟‑锡氧化物层,所述聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的厚度为40μm~130μm,所述固化层在该固化层内具备多个无机颗粒,所述固化层的厚度与所述无机硅氧化物层的厚度的总和为300nm以上并且不足3000nm,所述无机硅氧化物层的厚度超过15nm,所述铟‑锡氧化物层的厚度为15nm以上并且50nm以下,且其表面的中心线平均粗糙度Ra为0.1nm以上并且不足2nm。
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