[实用新型]透明导电性薄膜有效
申请号: | 201520382370.6 | 申请日: | 2015-06-04 |
公开(公告)号: | CN204706006U | 公开(公告)日: | 2015-10-14 |
发明(设计)人: | 藤野望;加藤大贵;梨木智刚 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;H01B5/14 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本实用新型提供透明导电性薄膜,其透明性和处理性良好、且电阻率更小。透明导电性薄膜(1)至少依次具有聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(2)、固化层(3)、无机硅氧化物层(4)及铟-锡氧化物层(5)。聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(2)的厚度为40μm~130μm。并且固化层(3)在该固化层内具备多个无机颗粒(3b)。固化层(3)的厚度(dA)与无机硅氧化物层(4)的厚度(dB)的总和为300nm以上并且不足3000nm。无机硅氧化物层(4)的厚度超过15nm,铟-锡氧化物层(5)的厚度为15nm以上并且50nm以下,且其表面的中心线平均粗糙度Ra为0.1nm以上并且不足2nm。 | ||
搜索关键词: | 透明 导电性 薄膜 | ||
【主权项】:
一种透明导电性薄膜,其特征在于,至少依次具有聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、固化层、无机硅氧化物层及铟‑锡氧化物层,所述聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的厚度为40μm~130μm,所述固化层在该固化层内具备多个无机颗粒,所述固化层的厚度与所述无机硅氧化物层的厚度的总和为300nm以上并且不足3000nm,所述无机硅氧化物层的厚度超过15nm,所述铟‑锡氧化物层的厚度为15nm以上并且50nm以下,且其表面的中心线平均粗糙度Ra为0.1nm以上并且不足2nm。
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