[实用新型]一种GaAs系太阳能电池三层减反膜有效
| 申请号： | 201520388913.5 | 申请日： | 2015-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN204760392U | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 郑贵忠;彭娜;张杨;陈升阳;潘旭;杨翠柏;王智勇 | 申请（专利权）人： | 瑞德兴阳新能源技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 梁莹 |
| 地址： | 528437 广东省中*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种GaAs系太阳能电池三层减反膜，由从下往上依次层状叠加的第一层二氧化钛薄膜、第二层二氧化钛薄膜及一层二氧化硅薄膜组成，其中，在GaAs系太阳能电池的窗口层或顶电池材料上通过电子束蒸镀沉积出第一层二氧化钛薄膜，在所述第一层二氧化钛薄膜上采用离子源辅助电子束蒸镀沉积出第二层二氧化钛薄膜，在所述第二层二氧化钛薄膜上采用离子源辅助电子束蒸镀沉积出一层二氧化硅薄膜，形成表面减反结构。本实用新型可以提升太阳能电池光电转换效率，保证良好的电池片外观，提高太阳能电池片的电性良率，同时减缓了蒸镀机台衬板的更换频率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 太阳能电池 三层 减反膜 | ||
【主权项】：
一种GaAs系太阳能电池三层减反膜，其特征在于：由从下往上依次层状叠加的第一层二氧化钛薄膜、第二层二氧化钛薄膜及一层二氧化硅薄膜组成，其中，在GaAs系太阳能电池的窗口层或顶电池材料上通过电子束蒸镀沉积出第一层二氧化钛薄膜，在所述第一层二氧化钛薄膜上采用离子源辅助电子束蒸镀沉积出第二层二氧化钛薄膜，在所述第二层二氧化钛薄膜上采用离子源辅助电子束蒸镀沉积出一层二氧化硅薄膜，形成表面减反结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
