[实用新型]施密特型发射器有效

专利信息
申请号: 201520401650.7 申请日: 2015-06-12
公开(公告)号: CN204681344U 公开(公告)日: 2015-09-30
发明(设计)人: 杨飞 申请(专利权)人: 重庆尊来科技有限责任公司
主分类号: H04B1/04 分类号: H04B1/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 401424 重*** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 施密特型发射器,属于遥控技术领域。是将具有三种状态的普通编码升级为一种高密编码的一种形式,由电池、控制开关、施密特控制电路、编码集成电路、射频电路共同组成。编码集成电路的地址码分为两部分,一部分是固定码,另一部分是与施密特控制电路输出相接的变动码,当控制开关接通电池,发射器通电,施密特控制电路启动,变动码随之发生两次变换,编码集成电路就由原只能一种单码发射变为了双码两种输出。通过对射频电路中发射管的激励,达到双码调制发射的目的,成为一种新型的高密级编码集成电路,为研究另类发射提供了广阔的空间。
搜索关键词: 施密特 发射器
【主权项】:
施密特型发射器,其特征是:由电池、控制开关、施密特控制电路、编码集成电路、射频电路共同组成;其中:电池的正极接控制开关的一端,控制开关的另一端为施密特型发射器的电源;编码集成电路的地址码中的一位地址码接为变动码,连接施密特控制电路的输出,其余接为固定码;施密特控制电路由微分电容、放电电阻、两个三极管、集电极电阻、接地电阻、输出二极管组成:微分电容的一端接电源,另一端接施密特第一三极管的基极,施密特第一三极管的基极对地接一个放电电阻,施密特第一三极管与施密特第二三极管的集电极分别接一个集电极电阻到电源,两个三极管的发射极接在一起对地接一个接地电阻,施密特第一三极管的集电极接施密特第二三极管的基极,施密特第二三极管的集电极接输出二极管的正极,输出二极管的负极为施密特控制电路的输出;编码集成电路的变动码连接施密特控制电路的输出,编码集成电路的输出连接射频电路。
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