[实用新型]一种液态锡加热连续硫化硒化法制备CZTSSe薄膜的装置

摘要

本实用新型公开了一种液态锡加热连续硫化硒化法制备CZTSSe薄膜的装置。该装置包括底座、外罩、液态锡池；底座和外罩通过密封圈连接构成密闭空间；液态锡池位于密闭空间内；液态锡池内壁设置加热室，加热室内部设置加热组件；液态锡池包括前后两个缓冲区和两个缓冲区中间的若干个不同温区的锡池。液态锡池的两侧壁的外侧设置有若干个滚轮，热电偶及加热电源控制系统与加热组件连接并提供热源，液态锡池的前缓冲区与液态锡池以及液态锡池与后缓冲区之间均设有闸门阀。利用该装置可制备CZTSSe铜基化合物半导体薄膜，制备过程能耗低、均匀度高、升温速度快，在材料与能源利用率和工业化生产方面具有明显的优势。

主权项

一种液态锡加热连续硫化硒化法制备CZTSSe薄膜的装置，其特征在于，该装置包括底座（121）、外罩（111）、液态锡池（117）；底座（121）和外罩（111）通过密封圈（119）连接构成密闭空间；液态锡池（117）位于密闭空间内；液态锡池（117）内壁设置加热室（114），加热室（114）内部设置加热组件（118）；液态锡池（117）包括前后两个缓冲区和两个缓冲区中间的若干个不同温区的锡池。