[实用新型]一种适用于双辉等离子处理的新型源极结构有效
| 申请号： | 201520413125.7 | 申请日： | 2015-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN204760350U | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 陈小虎;朱雨微;张平则;魏东博;魏祥飞 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;C23C14/14 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种适用于双辉等离子处理的新型源极结构，由6～36块金属靶材和固定金属靶材的圆筒组成，金属靶材均匀插入在圆筒上半部开设的孔中，金属靶材包括插入到孔中的插入部以及位于插入部上方的且位于孔外侧的凸台部，插入部的尺寸与孔尺寸配合良好，凸台尺寸大于孔的尺寸。孔等距离分布在圆筒上半部分上，且相邻的两个孔的间距为10～20mm。该新型源极结构与平面源极结构不同，不仅能够适用于平面结构的试样处理，也适合旋转结构和多面结构的工件的处理，而且增加的垂直的金属靶材，每个金属靶材之间能够产生空心阴极等离子放电，从而可以满足在相同的条件下，获得比传统结构源极更高的等离子体浓度，适用于多种形状和结构试样的处理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 等离子 处理 新型 结构 | ||
【主权项】：
一种适用于双辉等离子处理的新型源极结构，其特征在于：包括6～36金属靶材(1)和固定金属靶材(1)的圆筒(2)组成，所述圆筒(2)的上半部开设有若干个相间隔开的孔，金属靶材(1)包括插入到圆筒(2)的孔中的插入部(10)以及位于插入部(10)上方的且位于孔外侧的凸台部(11)。
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