[实用新型]带载能力强的电流源

摘要

本实用新型公开了一种带载能力强的电流源。带载能力强的电流源包括第一电阻、第一NPN管、第二NPN管、第二电阻、第三NPN管、第一PMOS管、第三电阻、第四电阻、第四NPN管、第五电阻、第五NPN管、第六电阻、第六NPN管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一电容、第七NPN管、第五PMOS管、第六PMOS管、第八NPN管、第七PMOS管和第八PMOS管。利用本实用新型提供的带载能力强的电流源能够提高带载能力。

主权项

带载能力强的电流源，其特征在于：包括第一电阻、第一NPN管、第二NPN管、第二电阻、第三NPN管、第一PMOS管、第三电阻、第四电阻、第四NPN管、第五电阻、第五NPN管、第六电阻、第六NPN管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一电容、第七NPN管、第五PMOS管、第六PMOS管、第八NPN管、第七PMOS管和第八PMOS管；所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NPN管的基极和集电极和所述第三NPN管的基极；所述第一NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第三NPN管的基极，发射极接所述第二NPN管的基极和集电极；所述第二NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第一NPN管的发射极，发射极接地；所述第二电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第三NPN管的集电极；所述第三NPN管的基极接第一电阻的一端和所述第一NPN管的基极和集电极，集电极接所述第二电阻的一端，发射极接所述第三电阻的一端和所述第一PMOS管的漏极；所述第一PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第六NPN管的集电极和所述第一电容的一端，漏极接所述第三NPN管的发射极和所述第三电阻的一端，源极接所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极；所述第三电阻的一端接所述第三NPN管的发射极和所述第一PMOS管的漏极，另一端接所述第四电阻的一端和所述第五电阻的一端；所述第四电阻的一端接所述第三电阻的一端和所述第五电阻的一端，另一端接所述第四NPN管的基极和集电极和所述第五NPN管的基极；所述第四NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第四电阻的一端和所述第五NPN管的基极，发射极接地；所述第五电阻的一端接所述第三电阻的一端和所述第四电阻的一端，另一端接所述第五NPN管的集电极和所述第六NPN管的基极和所述第一电容的一端和所述第七NPN管的基极和所述第八NPN管的基极；所述第五NPN管的基极接所述第四电阻的一端和所述第四NPN管的基极和集电极，集电极接所述第五电阻的一端和所述第六NPN管的基极和所述第一电容的一端和所述第七NPN管的基极和所述第八NPN管的基极，发射极接所述第六电阻的一端；所述第六电阻的一端接所述第五NPN管的发射极，另一端接地；所述第六NPN管的基极接所述第五电阻的一端和所述第五NPN管的集电极和所述第一电容的一端和所述第七NPN管的基极和所述第八NPN管的基极；集电极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第一电容的一端，发射极接地；所述第二PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的栅极和所述第六NPN管的集电极和所述第一电容的一端，源极接所述第三PMOS管的漏极；所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的源极和所述第四PMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第二PMOS管的源极，源极电源电压VCC；所述第四PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的源极和所述第三PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第七NPN管的基极接所述第五电阻的一端和所述第五NPN管的集电极和所述第一电容的一端和所述第六NPN管的基极和所述第八NPN管的基极，集电极接所述第五PMOS管的漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第八PMOS管的栅极，发射极接地；所述第五PMOS管的栅极接所述第七PMOS管的栅极和漏极和所述第八NPN管的集电极，漏极接所述第七NPN管的集电极和所述第六PMOS管的栅极，源极接所述第六PMOS管的漏极；所述第六PMOS管的栅极接所述第七NPN管的集电极和所述第五PMOS管的漏极，漏极接所述第五PMOS管的源极，源极接电源电压VCC；所述第八NPN管的基极接所述第五电阻的一端和所述第五NPN管的集电极和所述第六NPN管的基极和所述第一电容的一端和所述第七NPN管的基极，集电极接所述第五PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和漏极，发射极接地；所述第七PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第五PMOS管的栅极和所述第八NPN管的集电极，源极接所述第八PMOS管的漏极并作为该电流源的输出驱动端；所述第八PMOS管的栅极接所述第七NPN管的集电极和所述第五PMOS管的漏极和所述第六PMOS管的栅极，漏极接所述第七PMOS管的源极，源极接电源电压VCC。