[实用新型]零温度系数电流源有效
申请号: | 201520420413.5 | 申请日: | 2015-06-15 |
公开(公告)号: | CN204719585U | 公开(公告)日: | 2015-10-21 |
发明(设计)人: | 齐盛 | 申请(专利权)人: | 杭州宽福科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310053 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种零温度系数电流源。零温度系数电流源包括第一电阻、第一NPN管、第二NPN管、第二电阻、第三NPN管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第三电阻和第三PMOS管。利用本实用新型提供的零温度系数电流源能够输出零温度系数的电流。 | ||
搜索关键词: | 温度 系数 电流 | ||
【主权项】:
零温度系数电流源,其特征在于:包括第一电阻、第一NPN管、第二NPN管、第二电阻、第三NPN管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第三电阻和第三PMOS管;所述第一电阻的一端接电源电压VCC,另一端所述第一NPN管的基极和集电极和所述第三NPN管的基极;所述第一NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第三NPN管的基极,发射极接所述第二NPN管的基极和集电极;所述第二NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第一NPN管的发射极,发射极接地;所述第二电阻的一端接电源电压VCC,另一端接所述第三NPN管的集电极;所述第三NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第一NPN管的基极和集电极,集电极接所述第二电阻的一端,发射极接所述第一PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极;所述第一PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极,漏极接所述第三NPN管的发射极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极,源极接电源电压VCC;所述第二PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极,源极接电源电压VCC;所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三NPN管的发射极和所述第一PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极,源极接地;所述第二NMOS管的栅极接所述第三NPN管的发射极和所述第一PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极,漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极,源极接所述第三NMOS管的漏极;所述第三NMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极,漏极接所述第二NMOS管的漏极,源极接所述第三电阻的一端;所述第三电阻的一端接所述第三NMOS管的源极,另一端接地;所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极,漏极作为电流输出端IOUT,源极接电源电压VCC。
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