[实用新型]一种存储阵列和包含该存储阵列的NOR闪存存储器有效
| 申请号： | 201520429183.9 | 申请日： | 2015-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN204904841U | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 龚正辉;陶胜 | 申请（专利权）人： | 四川省豆萁科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 曹寒梅;肖冰滨 |
| 地址： | 621000 四川省绵*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及集成电路领域，公开了一种存储阵列和包含该存储阵列的NOR闪存存储器，该存储阵列包括位于同一阱中的存储单元阵列和伪单元阵列以及向所述阱提供电压的阱驱动器，其特征在于，所述存储单元阵列边缘处的信息存储管的漏极与所述伪单元阵列中与该边缘处的信息存储管相邻的伪单元管的漏极连接，所述伪单元阵列的字线与所述阱驱动器连接。该存储阵列和包含该存储阵列的NOR闪存存储器能够减小擦写存储单元阵列时伪单元阵列所受到的干扰，进而能够提高存储单元阵列的阈值电压Vt的分布一致性，并提高数据的读取精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 阵列 包含 nor 闪存 存储器 | ||
【主权项】：
一种存储阵列，该存储阵列包括位于同一阱中的存储单元阵列和伪单元阵列以及向所述阱提供电压的阱驱动器，其特征在于，所述存储单元阵列边缘处的信息存储管的漏极与所述伪单元阵列中与该边缘处的信息存储管相邻的伪单元管的漏极连接，所述伪单元阵列的字线与所述阱驱动器连接。
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