[实用新型]一种存储单元及包括该存储单元的NOR闪存存储器有效
| 申请号： | 201520429623.0 | 申请日： | 2015-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN204904842U | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 陈继兴;陶胜 | 申请（专利权）人： | 四川省豆萁科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 曹寒梅;肖冰滨 |
| 地址： | 621000 四川省绵*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及集成电路领域，公开了一种存储单元和包括该存储单元的NOR闪存存储器，该存储单元包括存储单元阵列、MOS管M2、MOS管M3、电阻器R0和开关电路，所述电阻器R0一端连接所述存储单元阵列的源端和所述MOS管M3的漏端、另一端连接所述MOS管M2的漏端，所述MOS管M2和所述MOS管M3的源端接地，所述开关电路连接在所述存储单元阵列的源端和字线之间。该存储单元和包括该存储单元的NOR闪存存储器能够避免存储单元阵列的位线电压下降过多，从而提高了其编程效率，增加了编程的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 单元 包括 nor 闪存 存储器 | ||
【主权项】：
一种存储单元，其特征在于，该存储单元包括存储单元阵列、MOS管M2、MOS管M3、电阻器R0和开关电路，所述电阻器R0一端连接所述存储单元阵列的源端和所述MOS管M3的漏端、另一端连接所述MOS管M2的漏端，所述MOS管M2和所述MOS管M3的源端接地，所述开关电路连接在所述存储单元阵列的源端和字线之间。
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