[实用新型]金色结晶硅太阳能电池及其面板有效
| 申请号： | 201520432919.8 | 申请日： | 2015-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN205004341U | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 郭峻江;李升翰;侯惟仁 | 申请（专利权）人： | 新能光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 中国台湾新竹县湖口*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种金色结晶硅太阳能电池及其面板。该电池是可同时保有高转换效率，并产生视觉上令人满意的金色结晶硅太阳能电池，其包含：结晶硅光电转换衬底；至少一层氮化硅抗反射层，其设置于所述的结晶硅光电转换衬底上；第一透明无机介电质层，其设置于所述的至少一层氮化硅抗反射层上；及钛氧化物层，其设置于所述的第一透明无机介电质层上，其中所述的至少一层氮化硅抗反射层具有在约65nm至约95nm范围内的厚度，所述的第一透明无机介电质层具有在约5nm至约30nm范围内的厚度，所述的钛氧化物层具有在约45nm至约80nm范围内的厚度。本实用新型亦提供一种包含上述金色结晶硅太阳能电池的面板。 | ||
| 搜索关键词： | 金色 结晶 太阳能电池 及其 面板 | ||
【主权项】：
一种金色结晶硅太阳能电池，其特征在于，包含：结晶硅光电转换衬底；至少一层氮化硅抗反射层，其设置于所述的结晶硅光电转换衬底上；第一透明无机介电质层，其设置于所述的至少一层氮化硅抗反射层上；及钛氧化物层，其设置于所述的第一透明无机介电质层上，其中所述的至少一层氮化硅抗反射层具有在约65nm至约95nm范围内的厚度，所述的第一透明无机介电质层具有在约5nm至约30nm范围内的厚度，所述的钛氧化物层具有在约45nm至约80nm范围内的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
