[实用新型]一种新型太阳能电池组件有效

专利信息
申请号: 201520434064.2 申请日: 2015-06-22
公开(公告)号: CN204792854U 公开(公告)日: 2015-11-18
发明(设计)人: 秦崇德;方结彬;石强;黄玉平;何达能;陈刚 申请(专利权)人: 广东爱康太阳能科技有限公司
主分类号: H01L31/052 分类号: H01L31/052
代理公司: 佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙) 44283 代理人: 张伶俐
地址: 528100 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种新型太阳能电池组件,包括依次层叠设置的高折射率氮化硅层、高折射率氧化硅层、N+层、P型硅和背面Al电场,正面Ag电极位于高折射率氮化硅层上侧与高折射率氮化硅层相接触,背面Ag电极位于背面Al电场下侧与背面Al电场相接触,所述背面Al电场下侧层叠有石墨导热膜,背面Ag电极穿过石墨导热膜与背面Al电场相接触。与现有技术相比,本实用新型具有如下有益效果:通过在背面Al电场下侧加入石墨导热膜,由于石墨导热膜具有超高热传导率,在组件端可以将电池组于发电过程中的热量传导出去,并降低峰值温度,将电池组本身的热量均匀再分布,进而有效的降低电池组热斑效应,保持太阳能电池光电转换效率稳定,进而提升组件的发电量。
搜索关键词: 一种 新型 太阳能电池 组件
【主权项】:
一种新型太阳能电池组件,包括正面Ag电极、高折射率氮化硅层、高折射率氧化硅层、N+层、P型硅、背面Al电场和背面Ag电极,所述高折射率氮化硅层、高折射率氧化硅层、N+层、P型硅和背面Al电场依次层叠设置,正面Ag电极位于高折射率氮化硅层上侧与高折射率氮化硅层相接触,背面Ag电极位于背面Al电场下侧与背面Al电场相接触,其特征在于,所述背面Al电场下侧层叠有石墨导热膜,背面Ag电极穿过石墨导热膜与背面Al电场相接触。
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