[实用新型]LED外延结构有效
| 申请号： | 201520459643.2 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN204857766U | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 冯猛;陈立人;刘恒山 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种LED外延结构，所述LED外延结构从下向上依次包括：衬底；位于衬底上的n-GaN层；位于n-GaN层上的InGaN/GaN量子阱层，所述InGaN/GaN量子阱层包括若干周期堆叠的GaN势垒层和InGaN势阱层，所述InGaN/GaN量子阱层上形成有若干V型坑；位于InGaN/GaN量子阱层上的p-AlGaN层，所述p-AlGaN层填充InGaN/GaN量子阱层上的V型坑；位于p-AlGaN层上的n-InGaN接触层。本实用新型中在InGaN/GaN量子阱层之上的外延层，全部在低于GaN量子垒的温度下生长，以最大程度地减少对量子阱结构破坏，形成高质量的低温InGaN/GaN量子阱层，有利于提升内量子效率；取消了现有技术中高温生长的p-GaN层，从而可降低吸光效应，有利于提升外部量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构从下向上依次包括：衬底；位于衬底上的n‑GaN层；位于n‑GaN层上的InGaN/GaN量子阱层，所述InGaN/GaN量子阱层包括若干周期堆叠的GaN势垒层和InGaN势阱层，所述InGaN/GaN量子阱层上形成有若干V型坑；位于InGaN/GaN量子阱层上的p‑AlGaN层，所述p‑AlGaN层填充InGaN/GaN量子阱层上的V型坑；位于p‑AlGaN层上的n‑InGaN接触层。
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