[实用新型]具有垂直沟道的半导体器件有效
| 申请号： | 201520470368.4 | 申请日： | 2015-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN204885171U | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 赵子群;许有志 | 申请（专利权）人： | 美国博通公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 田喜庆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及具有垂直沟道的半导体器件。一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：第一掺杂层，注入半导体基板中形成源极或漏极中的一者；栅极金属层，设置于所述第一掺杂层上；第二掺杂层，设置于所述栅极金属层上形成所述源极或所述漏极中的另一者，其中所述第一掺杂层、所述栅极金属层及所述第二掺杂层形成所述半导体器件的层垂直堆叠体；以及导电沟道，形成于沟槽中，所述沟槽垂直延伸穿过所述层垂直堆叠体并终止于所述半导体基板处。本实用新型使以下成为可能：更小器件特征比例；短沟道效应的更好控制；基板注入灵敏性的降低；产生更快切换速度的每个硅区域的更高驱动电流；以及使器件封装密度与栅极长度去耦的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 沟道 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：第一掺杂层，注入半导体基板中形成源极或漏极中的一者；栅极金属层，设置于所述第一掺杂层上；第二掺杂层，设置于所述栅极金属层上形成所述源极或所述漏极中的另一者，其中所述第一掺杂层、所述栅极金属层及所述第二掺杂层形成所述半导体器件的层垂直堆叠体；以及导电沟道，形成于沟槽中，所述沟槽垂直延伸穿过所述层垂直堆叠体并终止于所述半导体基板处。
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