[实用新型]用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置有效
| 申请号： | 201520472530.6 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN204857672U | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 静福印;孙海平;夏正月 | 申请（专利权）人： | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 215434 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置，包括控制电机、进水口、喷嘴，控制电机与进水口、喷嘴相连接；所述喷嘴底部交叉均匀分布有大喷水孔、小喷水孔；本实用新型结构简单，通过采用控制电机控制喷嘴喷洒水，可有效在硅片上表面加一层水膜，通过水膜的保护，使硅片上表面不受酸雾腐蚀，从而解决刻蚀过程中出现的“过度腐蚀”以及“黑边”问题，有效改善湿法刻蚀的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 湿法 刻蚀 效果 喷水 装置 | ||
【主权项】：
一种用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置，其特征在于：包括控制电机（1）、进水口（2）、喷嘴（3），控制电机（1）与进水口（2）、喷嘴（3）相连接；所述喷嘴（3）底部交叉均匀分布有大喷水孔（31）、小喷水孔（32）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥特斯维能源（太仓）有限公司，未经奥特斯维能源（太仓）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520472530.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体真空吸盘
- 下一篇：一种卷式电镀用收膜装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
