[实用新型]一种微分互补型双码发射器有效

专利信息
申请号: 201520472629.6 申请日: 2015-06-30
公开(公告)号: CN204886932U 公开(公告)日: 2015-12-16
发明(设计)人: 蒋丹 申请(专利权)人: 重庆尊来科技有限责任公司
主分类号: H04B1/04 分类号: H04B1/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 401424 重*** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 一种微分互补型双码发射器,属于电子技术领域。是将具有三种状态的普通编码升级为一种高密编码的一种形式,由电源电路、微分互补型两次变换电路、三极管控制电路、编码集成电路、射频单元共同组成。当电源电路启动,发射器通电,微分互补型两次变换电路启动三极管控制电路的同时,控制编码集成电路的一位变动码与一位变位端,三极管控制电路控制编码集成电路的另一变动码也另一位变位端,通过对射频电路中发射管的激励,达到变码发射的同时,形成对应接收输出的唯一性,进一步提升遥控的密级,为研究另类发射提供了广阔的空间。
搜索关键词: 一种 微分 互补 型双码 发射器
【主权项】:
一种微分互补型双码发射器,其特征是:由电源电路、微分互补型两次变换电路、三极管控制电路、编码集成电路、射频单元共同组成;其中:电源电路由发射电池与发射开关组成:发射电池的负极接一种微分互补型双码发射器的地线,发射电池的正极接发射开关的一端,发射开关的另一端为一种微分互补型双码发射器的电源;编码集成电路的地址码中有两位地址码接为变动码,其余接为固定码;编码集成电路的数据端中的两位接为了变位端;微分互补型两次变换电路由微分电路、互补电路组成;微分电路由微分电容、放电电阻、触发电阻组成;互补电路由前级NPN三极管、后级PNP三极管、输出接地电阻组成;微分电容的一端接电源,另一端接两路,一路接放电电阻到地线,另一路接触发电阻到前级NPN三极管的基极,前级NPN三极管的发射极接地线,前级NPN三极管的集电极接后级PNP三极管的基极,后级PNP三极管的发射极接电源,后级PNP三极管的集电极即是微分互补型两次变换电路的输出,输出接地电阻接在微分互补型两次变换电路的输出与地线之间;三极管控制电路由控制三极管、控制电阻、电源电阻组成:控制电阻的一端连接微分互补型两次变换电路的输出,控制电路的另一端连接控制三极管的基极,控制三极管的发射极接地线,控制三极管的集电极与电源之间接一个电源电阻,控制三极管的集电极即是三极管控制电路的输出;编码集成电路的两位变动码,一位连接微分互补型两次变换电路的输出,这位变动码即是第一变动码;一位连接三极管控制电路的输出,这位变动码即是第二变动码;编码集成电路的两位变位端,一位连接微分互补型两次变换电路的输出,这位变位端即是第一变位端;一位连接三极管控制电路的输出,这位变位端即是第二变位端;编码集成电路的输出连接射频单元中调制电路中的调制电阻;射频单元由调制电路、射频电路、铜箔天线共同组成;调制电路由调制电阻与调制三极管组成:编码集成电路的输出连接调制电阻的一端,调制电阻另一端接调制三极管的基极,调制三极管的发射极接地,集电极接高频发射管的发射极;铜箔天线是∩形状,左右两条垂直铜箔用弧形铜箔吻接,其尺寸是,铜箔宽度为2毫米,左右两条垂直的铜箔长度为30毫米,两条垂直铜箔的间距为20毫米,吻接两条垂直铜箔的弧形铜箔的高度是4.5毫米;射频电路:晶振有三个端头,一个端头接铜箔天线的输入端,第二个端头接高频发射管的基极,第三个端头接高频发射管的发射极;高频发射管的基极电阻接在铜箔天线的输入端与高频发射管的基极之间,高频发射管的集电极接铜箔天线的输出端;铜箔天线的输入端与输出端之间接一个调频电容,调频电容并联一个固定电容;旁路电路接在铜箔天线的输入端与高频发射管的发射极之间;去耦电容接在铜箔天线的输出端与地线之间。
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