[实用新型]一种半导体器件

摘要

本实用新型提供了一种半导体器件，具体包括：单晶硅衬底，其中具有浅沟槽，定义出NMOS区域和PMOS区域；填充在浅沟槽中的二氧化硅，分别形成包围NMOS区域的浅沟槽隔离STI 1和包围PMOS区域的浅沟槽隔离STI 2；沟槽隔离STI 2具有张应力；在栅极侧墙两侧具有PMOS源漏沟槽，该PMOS源漏沟槽的深度小于浅沟槽隔离STI 2的深度；在PMOS源漏沟槽中具有SiGe或SiGe:C的第一源漏提升区；在NMOS区域和PMOS区域衬底上具有Si或Si:C盖层，同时作为NMOS区域的第二源漏提升区。

主权项

一种半导体器件，包括：单晶硅衬底，其中具有浅沟槽，定义出由所述浅沟槽包围的NMOS区域和PMOS区域；填充在浅沟槽中的二氧化硅，分别形成包围NMOS区域的浅沟槽隔离STI 1和包围PMOS区域的PMOS浅沟槽隔离STI 2；PMOS浅沟槽隔离STI 2的二氧化硅为掺杂的，具有张应力；位于衬底上NMOS区域、PMOS区域和包围NMOS区域的浅沟槽隔离STI 1上的栅极堆叠结构；位于NMOS区域和PMOS区域的栅极堆叠结构周围的栅极侧墙；在栅极侧墙两侧具有PMOS源漏沟槽，该PMOS源漏沟槽的深度小于浅沟槽隔离STI 2的深度；在PMOS源漏沟槽中具有SiGe或SiGe:C的第一源漏提升区；在NMOS区域和PMOS区域衬底上具有Si或Si:C盖层，同时作为NMOS区域的第二源漏提升区。