[实用新型]一种无运放高电源抑制比带隙基准源电路有效
| 申请号： | 201520489170.0 | 申请日： | 2015-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN204808102U | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 邓龙利;刘铭 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬;邓猛烈 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提出一种无运放高电源抑制比带隙基准源电路，包括基准电流产生电路和输出电路，其中，还包括：偏置电路，偏置电路包括偏置PMOS管和偏置NMOS管，偏置PMOS管与基准电流产生电路中的PMOS管并联；偏置PMOS管的漏极与偏置NMOS管漏极相连；偏置NMOS管的栅极与基准电流产生电路中第一NMOS管的漏极连接，偏置NMOS管的源极与基准电流产生电路中第二NMOS管的源极连接；第二NMOS管的漏极和栅极相连；输出电路包括串联的第一电阻和第二电阻、串联的第零三极管和第一三极管。增加了偏置电路，可以保证基准电流产生电路中NMOS管漏极电压保持一致，不会随电源电压的变化使得电路的基准电流有变化，提高了输出电压对于电源变化的抑制能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无运放高 电源 抑制 基准 电路 | ||
【主权项】：
一种无运放高电源抑制比带隙基准源电路，包括基准电流产生电路和输出电路，其特征在于，还包括：偏置电路，所述偏置电路包括偏置PMOS管和偏置NMOS管，所述偏置PMOS管与基准电流产生电路中的PMOS管并联；所述偏置PMOS管的漏极与所述偏置NMOS管漏极相连；所述偏置NMOS管的栅极与基准电流产生电路中第一NMOS管的漏极连接，所述偏置NMOS管的源极与基准电流产生电路中第二NMOS管的源极连接；所述第二NMOS管的漏极和栅极相连；所述输出电路包括串联的第一电阻和第二电阻、串联的第零三极管和第一三极管，所述第一电阻两端分别连接第零三极管和第一三极管的基极，所述第二电阻两端分别连接第零三极管的基极与发射极，所述第一三极管的基极与集电极相连，所述第一三极管的发射极与所述第零三极管的集电极相连，且连接点作为电压输出端。
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