[实用新型]电流源电路有效
申请号: | 201520489428.7 | 申请日: | 2015-07-03 |
公开(公告)号: | CN204808087U | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 齐盛 | 申请(专利权)人: | 杭州宽福科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310053 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种电流源电路。电流源电路包括第一电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管。 | ||
搜索关键词: | 电流 电路 | ||
【主权项】:
电流源电路,其特征在于:包括第一电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管;所述第一电阻的一端接地,另一端接所述第一NMOS管的源极;所述第一NMOS管的栅极接所述第二NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的源极,漏极接所述第三NMOS管的源极,源极接所述第一电阻的一端;所述第二NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第四NMOS管的源极和所述第一NMOS管的栅极,源极接地;所述第三NMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和漏极,漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极,源极接所述第一NMOS管的漏极;所述第四NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极,源极接所述第二NMOS管的栅极和漏极和所述第一NMOS管的栅极;所述第一PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极,漏极接所述第四NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极,源极接电源电压VCC;所述第二PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极,源极接电源电压VCC;所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的漏极,漏极作为电流输出端IOUT,源极接电源电压VCC。
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