[实用新型]双向静电保护电路及其电池保护电路

摘要

本实用新型提供一种双向静电保护电路及其电池保护电路，其中，集成电路的双向静电保护电路连接于第一连接端和第二连接端之间的静电保护器件，该静电保护器件包括P型衬底；埋置于所述P型衬底内的N型埋层；沿晶圆的上表面向下延伸至N型埋层的P阱；沿晶圆的上表面向下延伸至N型埋层且环绕P阱的环形N阱；沿P阱的上表面向下延伸至P阱中的NG层；沿NG层的上表面向下延伸至NG层中的第一N+有源区；沿N阱的上表面向下延伸至N阱中的P+有源区和第二N+有源区，P+有源区和第二N+有源区相互间隔；P+有源区和第二N+有源区均与第二连接端相连，第一N+有源区与第一连接端相连。与现有技术相比，本实用新型不仅可提高电池保护电路的耐压，避免不恰当的静电释放，而且可使电池保护电路承受电芯反接。

主权项

一种双向静电保护电路，集成电路具有第一连接端和第二连接端，其特征在于，所述双向静电保护电路包括连接于第一连接端和第二连接端之间的静电保护器件，该静电保护器件包括P型衬底；埋置于所述P型衬底内的N型埋层；沿晶圆的上表面向下延伸至N型埋层的P阱；沿晶圆的上表面向下延伸至N型埋层且环绕所述P阱的环形N阱；沿所述P阱的上表面向下延伸至P阱中的NG层；沿所述NG层的上表面向下延伸至NG层中的第一N+有源区；沿所述N阱的上表面向下延伸至N阱中的P+有源区和第二N+有源区，P+有源区和第二N+有源区相互间隔；所述P+有源区和第二N+有源区均与所述第二连接端相连，所述第一N+有源区与第一连接端相连，其中，P+有源区的P型掺杂浓度较P阱的P型掺杂浓度高；N+有源区的N型掺杂浓度较N阱的N型掺杂浓度高；N+有源区的N型掺杂浓度较NG层的型掺杂浓度高；N型埋层的N型掺杂浓度较N阱的掺杂浓度高。