[实用新型]高倍聚光太阳能芯片定位结构有效
申请号: | 201520491754.1 | 申请日: | 2015-07-09 |
公开(公告)号: | CN204792845U | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 郭丽彬;罗芳;高阳 | 申请(专利权)人: | 日芯光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/052 |
代理公司: | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人: | 朱凌 |
地址: | 232000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种高倍聚光太阳能芯片定位结构,包括散热基板和芯片;所述的芯片通过焊锡焊接在散热基板上;所述的散热基板蚀刻阻焊层的位置上形成一个作为芯片定位结构的凸台或凹槽,芯片通过焊锡焊接在散热基板的凸台或凹槽上。由于本实用新型采用冲压成型的方式在金属散热基板上直接冲压出所需矩形、六边形、多变形等形状,这种成型方法成本低、定位精度高,可在金属散热基板一次性成型,不会增加额外的成本。 | ||
搜索关键词: | 高倍 聚光 太阳能 芯片 定位 结构 | ||
【主权项】:
一种高倍聚光太阳能芯片定位结构,包括散热基板和芯片;所述的芯片通过焊锡焊接在散热基板上;其特征在于:所述的散热基板蚀刻阻焊层的位置上形成一个作为芯片定位结构的凸台或凹槽,芯片通过焊锡焊接在散热基板的凸台或凹槽上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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