[实用新型]传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构

摘要

本实用新型公开了一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，其包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室；所述反应室的上端面设置有反应端盖，其采用中空结构，所述送气管道延伸至反应端盖内部；所述反应端盖的下端面之中设置有多个导气管道，每一个导气管道均包括有第一管部，第二管部与第三管部，所述第一管部的直径在竖直方向上逐渐缩小，第三管部的直径在竖直方向上逐渐增大；采用上述技术方案的传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，其可通过导气管道的结构设置，使得其在第一管部与第三管部之间形成压差，使得反应气体可迅速通入反应室之中，并通过压差避免反应气体回到反应端盖之中，以造成气体的外泄。

主权项

一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，其包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室，反应室的下端部设置有抽气管道，其连接至设置在反应室外部的真空泵；所述反应室的轴线位置设置有片架，其连接至设置在反应室外部的片架旋转机构；所述反应室外侧设置有电磁线圈；其特征在于，所述反应室的上端面设置有反应端盖，其采用中空结构，所述送气管道延伸至反应端盖内部；所述反应端盖的下端面之中设置有多个导气管道，每一个导气管道均包括有第一管部，第二管部与第三管部，其中，第一管部连接至反应端盖内部，第三管部连接至反应室内部，第二管部设置于第一管部与第三管部之间；所述第一管部的直径在竖直方向上逐渐缩小，第三管部的直径在竖直方向上逐渐增大。