[实用新型]传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构有效

专利信息
申请号: 201520491948.1 申请日: 2015-07-09
公开(公告)号: CN204792716U 公开(公告)日: 2015-11-18
发明(设计)人: 牟恒 申请(专利权)人: 江苏德尔森传感器科技有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人: 顾进
地址: 215600 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构,其包括有反应室,反应室的上端部设置有送气管道,其连接至设置在反应室外部的气源室;所述反应室的上端面设置有反应端盖,其采用中空结构,所述送气管道延伸至反应端盖内部;所述反应端盖的下端面之中设置有多个导气管道,每一个导气管道均包括有第一管部,第二管部与第三管部,所述第一管部的直径在竖直方向上逐渐缩小,第三管部的直径在竖直方向上逐渐增大;采用上述技术方案的传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构,其可通过导气管道的结构设置,使得其在第一管部与第三管部之间形成压差,使得反应气体可迅速通入反应室之中,并通过压差避免反应气体回到反应端盖之中,以造成气体的外泄。
搜索关键词: 传感器 单晶硅 刻蚀 装置 送气 机构
【主权项】:
一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构,其包括有反应室,反应室的上端部设置有送气管道,其连接至设置在反应室外部的气源室,反应室的下端部设置有抽气管道,其连接至设置在反应室外部的真空泵;所述反应室的轴线位置设置有片架,其连接至设置在反应室外部的片架旋转机构;所述反应室外侧设置有电磁线圈;其特征在于,所述反应室的上端面设置有反应端盖,其采用中空结构,所述送气管道延伸至反应端盖内部;所述反应端盖的下端面之中设置有多个导气管道,每一个导气管道均包括有第一管部,第二管部与第三管部,其中,第一管部连接至反应端盖内部,第三管部连接至反应室内部,第二管部设置于第一管部与第三管部之间;所述第一管部的直径在竖直方向上逐渐缩小,第三管部的直径在竖直方向上逐渐增大。
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