[实用新型]传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构有效
申请号: | 201520491948.1 | 申请日: | 2015-07-09 |
公开(公告)号: | CN204792716U | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 牟恒 | 申请(专利权)人: | 江苏德尔森传感器科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人: | 顾进 |
地址: | 215600 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构,其包括有反应室,反应室的上端部设置有送气管道,其连接至设置在反应室外部的气源室;所述反应室的上端面设置有反应端盖,其采用中空结构,所述送气管道延伸至反应端盖内部;所述反应端盖的下端面之中设置有多个导气管道,每一个导气管道均包括有第一管部,第二管部与第三管部,所述第一管部的直径在竖直方向上逐渐缩小,第三管部的直径在竖直方向上逐渐增大;采用上述技术方案的传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构,其可通过导气管道的结构设置,使得其在第一管部与第三管部之间形成压差,使得反应气体可迅速通入反应室之中,并通过压差避免反应气体回到反应端盖之中,以造成气体的外泄。 | ||
搜索关键词: | 传感器 单晶硅 刻蚀 装置 送气 机构 | ||
【主权项】:
一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构,其包括有反应室,反应室的上端部设置有送气管道,其连接至设置在反应室外部的气源室,反应室的下端部设置有抽气管道,其连接至设置在反应室外部的真空泵;所述反应室的轴线位置设置有片架,其连接至设置在反应室外部的片架旋转机构;所述反应室外侧设置有电磁线圈;其特征在于,所述反应室的上端面设置有反应端盖,其采用中空结构,所述送气管道延伸至反应端盖内部;所述反应端盖的下端面之中设置有多个导气管道,每一个导气管道均包括有第一管部,第二管部与第三管部,其中,第一管部连接至反应端盖内部,第三管部连接至反应室内部,第二管部设置于第一管部与第三管部之间;所述第一管部的直径在竖直方向上逐渐缩小,第三管部的直径在竖直方向上逐渐增大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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