[实用新型]一种增加GaN基反向电压的外延结构有效
| 申请号： | 201520498810.4 | 申请日： | 2015-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN204760415U | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 项博媛;徐迪;农明涛;杨云峰 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06 |
| 代理公司： | 长沙七合源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 欧颖;吴婷 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型的目的在于提供一种增加GaN基反向电压的外延结构，由下至上依次包括蓝宝石衬底、低温缓冲层、第一非掺杂u型GaN层、第二非掺杂u型GaN层、u型AlGaN/GaN超晶格过渡层、第一高掺杂Si的n型GaN层、n型AlGaN电子阻挡层、第二高掺杂Si的n型GaN层、低温n型GaN层、浅量子阱层、量子阱层、有源层、GaN垒层、第一P型AlGaN/InGaN电子阻挡层等。本实用新型的外延结构具有整体结构精简、在增加反向电压的同时降低驱动电压等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增加 gan 反向 电压 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种增加GaN基反向电压的外延结构，其特征在于：由下至上依次包括蓝宝石衬底(1)、低温缓冲层(2)、第一非掺杂u型GaN层(3)、第二非掺杂u型GaN层(4)、u型AlGaN/GaN超晶格过渡层(5)、第一高掺杂Si的n型GaN层(6)、n型AlGaN电子阻挡层(7)、第二高掺杂Si的n型GaN层(8)、低温n型GaN层(9)、浅量子阱层(10)、量子阱层(11)、有源层(12)、GaN垒层(13)、第一P型AlGaN/InGaN电子阻挡层(14)、第二P型AlGaN/InGaN电子阻挡层(15)、p型GaN层(16)以及p型接触层(17)；所述u型AlGaN/GaN超晶格过渡层(5)的厚度为30‑100nm，其包含生长周期为4‑20个的AlGaN/GaN超晶格，所述超晶格中AlGaN与GaN的厚度比为1:1‑1:3；所述第一高掺杂Si的n型GaN层(6)的厚度为2.5‑3.5um。
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