[实用新型]一种提高二硫化钼薄膜生长均匀性的单独硫源温控系统

摘要

本实用新型公开了一种提高二硫化钼薄膜生长均匀性的单独硫源温控系统。该系统包括料瓶，料瓶中装有硫粉，在料瓶的外围缠绕伴热带，料瓶内设有氩气输入管和氩气输出管，并将氩气输入管和氩气输出管与管式炉的氩气输入管连通。通过采用硫源单独温控技术实现对二硫化钼薄膜生长过程中硫源温度、蒸汽压的精确控制，避免传统化学气相沉积过程中硫的提前蒸发导致的三氧化钼的提前硫化，提高了二硫化钼薄膜生长过程的可控性，从而提高了二硫化钼薄膜的均匀性。

主权项

一种提高二硫化钼薄膜生长均匀性的单独硫源温控系统，其特征在于，该系统包括料瓶（1），料瓶（1）中装有硫粉（4），在料瓶（1）的外围缠绕伴热带（2），料瓶（1）内设有氩气输入管（3）和氩气输出管（5），并将氩气输入管（3）和氩气输出管（5）与管式炉（8）的氩气输入管（9）连通。