[实用新型]一种用于高氯砷生产的真空升华装置有效
申请号: | 201520521685.4 | 申请日: | 2015-07-17 |
公开(公告)号: | CN204779760U | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 何志达;胡生海;朱刘;郭金伯;杨林锟 | 申请(专利权)人: | 广东先导稀材股份有限公司 |
主分类号: | C22B30/04 | 分类号: | C22B30/04;C22B9/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵青朵 |
地址: | 511517 广东省清远市清新县禾*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请属于高纯砷领域,尤其涉及一种用于高纯砷生产的真空升华装置。本申请提供的真空升华装置包括:真空罐;所述真空罐内腔中设置有储料容器、沉积管和冷凝罩;所述储料容器设置在真空罐内腔底部,开口朝上;所述沉积管设置在储料容器上方,所述沉积管的进料端与所述储料容器的开口端相接触,且所述沉积管的出料端外壁设置有挡板;所述冷凝罩开口朝下,且所述冷凝罩通过挡板支撑在沉积管的出料端。本申请通过在沉积管的出料端设置冷凝罩,使低沸杂质蒸汽尽可能在冷凝罩中沉积,从而减少了低沸杂质蒸汽在真空罐内壁的沉积量,降低了低沸杂质对真空罐内壁的污染。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 高氯砷 生产 真空 升华 装置 | ||
【主权项】:
一种用于高氯砷生产的真空升华装置,包括:真空罐;所述真空罐内腔中设置有储料容器、沉积管和冷凝罩;所述储料容器设置在真空罐内腔底部,开口朝上;所述沉积管设置在储料容器上方,所述沉积管的进料端与所述储料容器的开口端相接触,且所述沉积管的出料端外壁设置有挡板;所述冷凝罩开口朝下,且所述冷凝罩通过挡板支撑在沉积管的出料端。
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