[实用新型]一种可单端信号和差分信号输入的宽带混频器

摘要

本实用新型属于射频集成电路领域，公开了一种可单端信号和差分信号输入的宽带混频器，该电路包括射频跨导放大器级、本振开关级，中频输出级，反馈环路LP1。射频跨导放大级采用共栅结构，实现输入阻抗在宽频带范围内近似恒定，从而实现宽带匹配特性；本振开关级将输入差分射频本振信号和输入射频信号混频，产生中频信号，通过中频输出级输出；反馈环路LP1形成反馈通路，实现单端输入和差分输入转换。

主权项

一种可单端信号和差分信号输入的宽带混频器，其特征是包括射频跨导放大器级、本振开关级、中频输出级、反馈环路LP1；本宽频带混频器的本振信号和中频输出信号都为差分信号，射频输入信号既可为单端口信号也可为差分信号；其中，中频输出信号端口为IF+和IF‑，本振信号端口为LO+和LO‑；射频信号为单端口输入信号时，其输入端口为RF+或RF‑；射频信号为差分输入信号时，其输入端口为RF+和RF‑；另，设六个节点分别为第1、2、3、4、5、和6节点；射频率跨导放大器级由NMOS晶体管M1和M2构成；射频输入端口RF+接于第1节点，射频输入端口RF‑接于第2节点，晶体管M1的源级和第1节点相连，M1的栅极接于第3节点，晶体管M2的源级接于第2节点，晶体管M2的栅极接于第4节点；本振动开关级由NMOS晶体管M3、M5、M4和M6构成；晶体管M3的漏极和晶体管M5的漏极都连接到中频输出信号端口IF+，晶体管M4的漏极和晶体管M6的漏极都连接到中频输出信号端口IF‑，晶体管M3的栅极和晶体管M6的栅级都连接到本振信号端口LO+，晶体管M4的栅极和晶体管M5的栅级都连接到本振信号端口LO‑；中频输出级由两个负载阻抗Z1和Z2构成，第一负载阻抗Z1的两端分别接于中频输出信号端口IF+和供电电源VCC，第二负载电阻Z2的两端分别接于中频输出信号端口IF‑和供电电源VCC；射频输入信号经跨导放大级放大后和本振信号相混频，产生中频电流信号，中频电流信号通过负载阻抗在输出端口产生中频电压信号；反馈环路LP1由反馈电容C1和C2构成，电容C1两端分别接于第3节点和第2节点，电容C2两端分别接于第1节点和第4节点。