[实用新型]一种MOSFET芯片封装结构有效
| 申请号： | 201520531142.0 | 申请日： | 2015-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN204792769U | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 曹凯;谢皆雷;罗立辉;吴超 | 申请（专利权）人： | 宁波芯健半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/485 |
| 代理公司： | 余姚德盛专利代理事务所(普通合伙) 33239 | 代理人： | 胡小永 |
| 地址： | 315327 浙江省宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种MOSFET芯片封装结构，封装结构包括单颗MOSFET芯片，载板，所述单颗MOSFET芯片正面通过其上的凸点与载板上的载板焊盘进行连接，单颗MOSFET芯片和载板之间具有填充物，且所述单颗MOSFET芯片背面通过导电层也与所述载板焊盘进行连接，且导电层覆盖于MOSFET芯片背面和芯片与载板之间的一部分填充物的表面，芯片正面还包括与凸点连接的导电线路层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种MOSFET芯片封装结构，封装结构包括单颗MOSFET芯片(100)，载板(500)，其特征在于，所述单颗MOSFET芯片(100)正面通过其上的凸点(400)与载板(500)上的载板焊盘(501)进行连接，单颗MOSFET芯片(100)和载板(500)之间具有填充物(600)，且所述单颗MOSFET芯片(100)背面通过导电层(700)也与所述载板焊盘(501)进行连接，且导电层(700)覆盖于MOSFET芯片背面和芯片(100)与载板(500)之间的一部分填充物(600)的表面，芯片正面还包括与凸点(400)连接的导电线路层(300)。
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