[实用新型]一种MOSFET芯片封装结构有效
| 申请号： | 201520531898.5 | 申请日： | 2015-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN204857708U | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 曹凯;谢皆雷;罗立辉;吴超 | 申请（专利权）人： | 宁波芯健半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/488 |
| 代理公司： | 余姚德盛专利代理事务所(普通合伙) 33239 | 代理人： | 胡小永 |
| 地址： | 315327 浙江省宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种MOSFET芯片封装结构，封装结构包括单颗MOSFET芯片，载板，所述单颗MOSFET芯片正面通过其上的凸点与载板上的载板焊盘进行连接，且所述单颗MOSFET芯片背面通过导电层与所述载板焊盘进行连接，且，导电层的一部分通过芯片上的通孔可连接到载板焊盘中，并在单颗MOSFET芯片和载板之间具有填充物，通孔通过填充物。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种MOSFET芯片封装结构，封装结构包括单颗MOSFET芯片(100)，载板(500)，其特征在于，所述单颗MOSFET芯片(100)正面通过其上的凸点(400)与载板(500)上的载板焊盘(501)进行连接，且所述单颗MOSFET芯片(100)背面通过导电层(700)与所述载板焊盘(501)进行连接，且，导电层(700)的一部分通过芯片(100)上的通孔(701)可连接到载板焊盘(501)中，并在单颗MOSFET芯片(100)和载板(500)之间具有填充物(600)，通孔(701)通过填充物(600)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波芯健半导体有限公司，未经宁波芯健半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520531898.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种压接式功率模块阀段
- 下一篇：一种电力电子模块底板结构
