[实用新型]一种功率MOSFET器件栅电极结构有效
| 申请号： | 201520541311.9 | 申请日： | 2015-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN204760387U | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 陆怀谷 | 申请（专利权）人： | 深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 冯子玲 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种功率MOSFET器件栅电极结构，所述功率MOSFET器件栅电极结构具有长条状多晶，该长条状多晶将所述功率MOSFET器件栅电极引线区域和该功率MOSFET器件栅电极的打线区域连接在一起，所述长条状多晶的电阻作为栅极电阻。所述长条状多晶与所述功率MOSFET器件栅极多晶同时工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 mosfet 器件 电极 结构 | ||
【主权项】：
一种功率MOSFET器件栅电极结构，其特征在于，所述功率MOSFET器件栅电极结构具有长条状多晶，该长条状多晶将所述功率MOSFET器件栅电极引线区域和该功率MOSFET器件栅电极的打线区域连接在一起，所述长条状多晶的电阻作为栅极电阻。
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