[实用新型]一种高密度凸块结构有效
| 申请号： | 201520550129.X | 申请日： | 2015-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN204809218U | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 张黎;龙欣江;赖志明;陈栋;陈锦辉 | 申请（专利权）人： | 江阴长电先进封装有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 彭英 |
| 地址： | 214429 江苏省无锡市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高密度凸块结构，属于半导体封装技术领域。其包括芯片本体（101）、芯片电极（102）、芯片表面钝化层（103）和凸块结构（500），所述芯片表面钝化层（103）设置于芯片本体（101）的上表面并开设芯片表面钝化层开口（1031），所述芯片电极（102）设置于芯片本体（101）的上表面且其上表面通过芯片表面钝化层开口（1031）露出芯片表面钝化层（103），芯片表面钝化层开口（1031）内设置阻挡层（230），所述阻挡层（230）的成形区域不大于芯片表面钝化层开口（1031）的区域，在所述阻挡层（230）与凸块结构（500）之间设置金属种子层（310），所述金属种子层（310）完全覆盖阻挡层（230）。本实用新型公开了一种提高产品终端的可靠性的高密度凸块结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 结构 | ||
【主权项】：
一种高密度凸块结构，其包括芯片本体（101）、芯片电极（102）、芯片表面钝化层（103）和凸块结构（500），所述芯片表面钝化层（103）设置于芯片本体（101）的上表面并开设芯片表面钝化层开口（1031），所述芯片电极（102）设置于芯片本体（101）的上表面且其上表面通过芯片表面钝化层开口（1031）露出芯片表面钝化层（103），所述凸块结构（500）包括凸块电镀层（510）及其顶部的凸块焊料层（530），其特征在于：所述芯片表面钝化层开口（1031）内设置阻挡层（230），所述阻挡层（230）的成形区域不大于芯片表面钝化层开口（1031）的区域，在所述阻挡层（230）与凸块结构（500）之间设置金属种子层（310），所述金属种子层（310）的成形区域大于芯片表面钝化层开口（1031）的区域，所述金属种子层（310）完全覆盖阻挡层（230）。
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