[实用新型]一种硅通孔互连结构

摘要

本实用新型涉及一种硅通孔互连结构，属于半导体封装技术领域。其包括硅基体（1）和若干个硅通孔（12），硅通孔（12）内金属柱（3）与半导体工艺层（11）形成电气连通，所述金属柱（3）的下端凸出硅基体（1）的下表面，并在所述金属柱（3）的下表面设置金属块（4），所述金属块（4）将硅通孔（12）完全覆盖，硅基体（1）的下表面及金属块（4）的周围覆盖钝化层Ⅱ（22），并设置金属块开口（41）露出金属块（4）的下表面，所述钝化层Ⅱ（22）的下表面选择性地分布再布线金属层（6），所述再布线金属层（6）通过金属块开口（41）延伸至金属块（4），且与金属块（4）固连。本实用新型的硅通孔互连结构无漏电流问题又可提高可靠性。

主权项

一种硅通孔互连结构，其包括硅基体（1）和若干个硅通孔（12），所述硅基体（1）的上表面设置半导体工艺层（11），所述硅通孔（12）上下贯穿硅基体（1），并填充金属形成金属柱（3），所述金属柱（3）与半导体工艺层（11）形成电气连通，所述金属柱（3）与硅通孔（12）的内壁之间设置钝化层Ⅰ（21），其特征在于：所述金属柱（3）与钝化层Ⅰ（21）的下端凸出硅基体（1）的下表面，其凸出高度为h1，并在所述金属柱（3）与钝化层Ⅰ（21）的下表面设置金属块（4），所述金属块（4）的横截面尺寸大于硅通孔（12）的横截面尺寸，并将硅通孔（12）完全覆盖，硅基体（1）的下表面及金属块（4）的周围覆盖钝化层Ⅱ（22），并设置金属块开口（41）露出金属块（4）的下表面，所述钝化层Ⅱ（22）的下表面选择性地分布再布线金属层（6），所述再布线金属层（6）通过金属块开口（41）延伸至金属块（4），且与金属块（4）固连，所述再布线金属层（6）的表面覆盖保护层（7），并开设保护层开口（71）。