[实用新型]快速热制程设备有效
申请号: | 201520591992.X | 申请日: | 2015-08-07 |
公开(公告)号: | CN204991660U | 公开(公告)日: | 2016-01-20 |
发明(设计)人: | 林武郎;郑煌玉;郭明伦;方建利;刘又玮;陈世敏;许雅晴 | 申请(专利权)人: | 技鼎股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本实用新型提供一种快速热制程设备,用以形成高温气密环境以进行热处理,快速热制程设备包含气密腔体、数个加热组件、以及数个具辐射穿透性的管材,气密腔体具有气密腔室,供放置热处理目标对象,各个管材设置于气密腔室且各个管材的一端接合于气密腔体从而连通于外部空间,以使数个管材的内部与气密腔室相隔绝,加热组件对应设置于所述的数个管材的内部,透过所述的管材对所述的气密腔室加热以使气密腔室内形成高温气密环境,以对热处理目标对象进行热处理。 | ||
搜索关键词: | 快速 热制程 设备 | ||
【主权项】:
一种快速热制程设备,其特征在于,用以形成高温气密环境以进行热处理,所述的快速热制程设备包含:气密腔体,具有气密腔室,供放置热处理目标对象;数个具辐射穿透性的管材,设置于所述的气密腔室且各个所述的管材的一端接合于所述的气密腔体从而连通于外部空间,以使所述的数个管材的内部与所述的气密腔室相隔绝;以及数个加热组件,对应设置于所述的数个管材的内部,透过所述的管材对所述的气密腔室加热以使所述的气密腔室内形成所述的高温气密环境,以对所述的热处理目标对象进行热处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造