[实用新型]致使对集成电路的逆向工程更加困难的集成电路有效
申请号: | 201520602231.X | 申请日: | 2015-08-11 |
公开(公告)号: | CN204966495U | 公开(公告)日: | 2016-01-13 |
发明(设计)人: | P·弗纳拉;C·里韦罗;G·鲍顿 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(鲁塞)公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L23/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型的各个实施例涉及:致使对集成电路的逆向工程更加困难的集成电路。一种集成电路,其包括具有形成在其上的多个功能块的衬底。至少两个相同的功能块分别设置在集成电路上的两个或更多个不同位置处。提供了在功能块的内部和/或邻近区域中的电无源伪模块,其中至少两个不同的电无源伪模块被包括在该至少两个相同的功能块的内部和/或邻近区域中。 | ||
搜索关键词: | 致使 集成电路 逆向 工程 更加 困难 | ||
【主权项】:
一种集成电路,其特征在于包括:衬底;在所述衬底上的多个功能块,所述功能块包括:至少两个相同的功能块,分别设置在所述集成电路上的两个或更多个不同的位置处;电无源伪模块,位于所述功能块的内部和/或邻近区域中;其中至少两个不同的电无源伪模块位于所述至少两个相同的功能块的内部和/或相应的邻近区域中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(鲁塞)公司,未经意法半导体(鲁塞)公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520602231.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的