[实用新型]金属有机化合物源的供应系统有效
| 申请号： | 201520610663.5 | 申请日： | 2015-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN205115595U | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 焦建军;黄小辉;陈向东;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张莲莲;黄健 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种金属有机化合物源的供应系统。本实用新型提供的金属有机化合物源的供应系统包括：MO源容器，和多个MOCVD设备；MO源容器，与多个MOCVD设备中的每个MOCVD设备通过传输管道连接。本实用新型的金属有机化合物源的供应系统，可提高化合物的生长效率。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 有机化合物 供应 系统 | ||
【主权项】：
一种金属有机化合物源的供应系统，其特征在于，包括：金属有机化合物MO源容器，和多个金属有机化合物化学气相沉积MOCVD设备；所述MO源容器，与所述多个MOCVD设备中的每个MOCVD设备，通过传输管道连接。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
