[实用新型]基于应力调控电镀和衬底转移的氮化物LED芯片有效
| 申请号： | 201520620703.4 | 申请日： | 2015-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN204946922U | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 胡晓龙;王洪;蔡镇准;齐赵毅 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供基于应力调控电镀和衬底转移的氮化物LED芯片。本实用新型采用湿法腐蚀剥离蓝宝石衬底的方法可以用于制备垂直结构LED。通过切割氮化镓外延层、热酸清洗，释放氮化镓应力；电镀无应力的镍基板，抛光金属基板；制备倾斜氮化镓侧壁，金属牺牲层，侧壁保护层；蓝宝石衬底抛光，一次性切割，腐蚀N极性面氮化镓等关键步骤实现蓝宝石衬底与氮化镓外延层的分离。本实用新型的方法不会影响GaN有源层的晶体质量，从而可以保证垂直结构LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 应力 调控 电镀 衬底 转移 氮化物 led 芯片 | ||
【主权项】：
基于应力调控电镀和衬底转移的氮化物LED芯片，其特征在于从下到上依次包括金属基板、电镀种子层、反射电极层、侧壁保护层、具有倒梯形结构的GaN外延层，和n型电极层。
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