[实用新型]一种低反射率晶体硅太阳能电池有效
| 申请号： | 201520622371.3 | 申请日： | 2015-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN204991721U | 公开（公告）日： | 2016-01-20 |
| 发明（设计）人： | 石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 | 申请（专利权）人： | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/04 |
| 代理公司： | 佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙) 44283 | 代理人： | 张伶俐 |
| 地址： | 528100 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种低反射率晶体硅太阳能电池，包括Ag背电极、Al背场、P型硅、N+层和Ag正电极，所述Al背场、P型硅和N+层依次层叠式设置，所述Ag正电极与N+层之间设有第一减反薄膜和第二减反薄膜，第一减反薄膜设有由若干个纳米孔形成的纳米陷光结构，第一减反薄膜覆盖在N+层上表面,第二减反薄膜覆盖在第一减反薄膜上表面和纳米孔内，第二减反薄膜覆盖在第一减反薄膜上表面形成复合减反薄膜，Ag正电极穿透第一减反薄膜和第二减反薄膜与N+层欧姆接触。与现有技术相比，本实用新型具有减少了硅表面的载流子复合速率、降低反射率的同时保证了减反膜的钝化效果，可以大大提高电池的转换效率的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反射率 晶体 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种低反射率晶体硅太阳能电池，包括Ag背电极、Al背场、P型硅、N+层和Ag正电极，所述Al背场、P型硅和N+层依次层叠式设置，其特征在于：所述Ag正电极与N+层之间设有第一减反薄膜和第二减反薄膜，第一减反薄膜设有由若干个纳米孔形成的纳米陷光结构，第一减反薄膜覆盖在N+层上表面,第二减反薄膜覆盖在第一减反薄膜上表面和纳米孔内，第二减反薄膜覆盖在第一减反薄膜上表面形成复合减反薄膜，Ag正电极穿透第一减反薄膜和第二减反薄膜与N+层欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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