[实用新型]多侧包覆的晶圆级半导体封装构造有效

专利信息
申请号: 201520625541.3 申请日: 2015-08-19
公开(公告)号: CN204885133U 公开(公告)日: 2015-12-16
发明(设计)人: 詹易霖;戴宏德;赖政斌;许中信;林子晖;曾生斗 申请(专利权)人: 力成科技股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/488
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 马廷昭
地址: 中国台湾新竹县*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 实用新型揭示一种多侧包覆的晶圆级半导体封装构造,包含一芯片主体、复数个凸块、一压模胶层以及一背胶层。芯片主体具有一主动面、一背面以及复数个在该主动面上的接垫。接垫以一重配置线路层连接,主动面上形成有一晶圆保护层,以覆盖重配置线路层,晶圆保护层在主动面角隅处具有复数个内缩角隅切缘。凸块设置于接垫上。压模胶层形成于晶圆保护层上并包覆内缩角隅切缘,并且压模胶层局部密封凸块。背胶层形成于背面上。本实用新型解决芯片在主动面角隅处晶圆保护层剥离的问题,借以提高封装产品的可靠度。
搜索关键词: 多侧包覆 晶圆级 半导体 封装 构造
【主权项】:
一种多侧包覆的晶圆级半导体封装构造,其特征在于,其包含:   一芯片主体,其具有一主动面、一背面以及复数个在该主动面上的接垫,该些接垫以一重配置线路层连接,该主动面上形成有一晶圆保护层,以覆盖该重配置线路层,该晶圆保护层在该主动面角隅处具有复数个内缩角隅切缘;   复数个凸块,设置于该些接垫上;   一压模胶层,形成于该晶圆保护层上并包覆该些内缩角隅切缘,并且该压模胶层局部密封该些凸块;以及   一背胶层,形成于该背面上。
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