[实用新型]新型硅镱量子面等离子体光源

摘要

本实用新型提供了一种新型硅镱量子面等离子体光源。本实用新型采用在硅衬底上形成硅镱量子面等离子体光源结构，可以在低频率泵浦光作用下发射较强的高频率光子，其等离子体发光具有低频率激发高频率和球形发光的特征，实现了光泵浦在可见光区的等离子体强发光（外量子效率大于50%）和在1400nm到1600nm光通信波段的发光，其等离子体发光具有低频率激发高频率和球形发光的特征。本实用新型不同于半导体LED和LD光源的发光机理，具有全新的发光物理机理与模型，解决了用低频率泵浦高频率发光的问题，提供了半导体照明的新光源和硅芯片光互联的新光源，可以有很好的新型硅镱等离子体光源应用。

主权项

一种新型硅镱量子面等离子体光源，包括硅衬底（1），其特征在于：在硅衬底（1）的上表面设有间隔分布的氧化硅薄膜（2），在每个氧化硅薄膜（2）的顶面均设有一个形状及大小对应的镱薄膜（3），同一组氧化硅薄膜（2）及镱薄膜（3）组成一组硅镱量子面。