[实用新型]一种与硅双极工艺兼容的光电探测传感器

摘要

本实用新型公开了一种与硅双极工艺兼容的光电探测传感器，包括第一光电探测器和第二光电探测器；所述第一光电探测器包括第一器件区，第一光电探测器的第一器件区由NPN晶体管的集电区形成，M个第一光电探测器的第二器件区制作在第一光电探测器的第一器件区内，M为小于10的自然数，所述第一光电探测器的第二器件区由NPN晶体管的基区形成，第二光电探测器结构与第一光电探测器结构相同；第二光电探测器表面覆盖有铝膜。本实用新型具有在获得更高量子效率方面具有明显优势的有益效果，并且具有响应速度快的有益效果。

主权项

一种与硅双极工艺兼容的光电探测传感器，其特征在于，包括第一光电探测器(1)和第二光电探测器(2)；所述第一光电探测器(1)包括第一器件区(11)，所述第一光电探测器的第一器件区(11)由NPN晶体管的集电区形成，第一光电探测器的第一器件区(11)的水平方向截面为正方形；M个第一光电探测器的第二器件区(12)制作在第一光电探测器的第一器件区(11)内，M为小于10的自然数，所述第一光电探测器的第二器件区(12)由NPN晶体管的基区形成，所述NPN晶体管由硅双极工艺制作而成；所述第一光电探测器的第一器件区(11)上设有电极孔，第一光电探测器的第二器件区(12)上设有电极孔；所有设置在第一光电探测器第二器件区上的电极孔通过铝膜连接线相互连接，连接电节点记为第一光电探测器的第二端子；设置在第一光电探测器的第一器件区上的电极孔通过铝膜连接线引出，记为第一光电探测器的第一端子(13)；所述第二光电探测器(2)包括第一器件区(21)，所述第二光电探测器的第一器件区(21)由NPN晶体管的集电区形成，第二光电探测器的第一器件区(21)的水平方向截面为正方形；M个第二光电探测器的第二器件区(22)制作在第二光电探测器的第一器件区(21)内，M为小于10的自然数，所述第二光电探测器的第二器件区(22)由NPN晶体管的基区形成，所述NPN晶体管由硅双极工艺制作而成；所述第二光电探测器的第一器件区(21)上设有电极孔，第二光电探测器的第二器件区(22)上设有电极孔；所有设置在第二光电探测器第二器件区上的电极孔通过铝膜连接线相互连接，连接电节点记为第二光电探测器的第二端子；设置在第二光电探测器的第一器件区上的电极孔通过铝膜连接线引出，记为第二光电探测器的第一端子(23)；所述第二光电探测器(2)表面覆盖有铝膜；所述第一光电探测器(1)和第二光电探测器(2)对称设置在单芯片中；所述第一光电探测器的第一端子(13)与第二光电探测器的第一端子(23)电连接。