[实用新型]基板处理装置及用于其的混合喷嘴有效
| 申请号： | 201520636869.5 | 申请日： | 2015-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN205069600U | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 尹哲男 | 申请（专利权）人： | K.C.科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 朱健;陈国军 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本实用新型涉及基板处理装置及用于其的混合喷嘴，提供一种基板处理装置及用于其的混合喷嘴，其包括：气体供给通道，其包括截面减小区域和排出区域，所述截面减小区域沿着气体的流动方向而截面逐渐减小，所述排出区域从所述截面减小区域延长至排出口；分岔通道(diverged passage)，其与所述气体供给通道在第一位置连通(connected)并供给干冰，从而在所述截面减小区域加速的气体流动与固体状态的干冰共同通过所述排出口得以排出，由此，在不损伤基板的表面的同时，可有效去除较低地固着于表面的边界层下方的异物。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 用于 混合 喷嘴 | ||
【主权项】：
一种混合喷嘴，其特征在于，包括：气体供给通道，其包括截面减小区域和排出区域，所述截面减小区域沿着气体的流动方向而截面逐渐减小，所述排出区域从所述截面减小区域延长至排出口；分岔通道，其与所述气体供给通道在第一位置连通并供给干冰，从而在所述截面减小区域加速的气体流动与固体状态的干冰共同通过所述排出口得以排出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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