[实用新型]一种MOS管过流保护电路有效
| 申请号： | 201520636902.4 | 申请日： | 2015-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN204948040U | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 涂柏生;朱锌铧;周德贵 | 申请（专利权）人： | 长沙市博巨兴电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/082 | 分类号： | H03K17/082 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410004 湖南省长沙市高新开*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型公布了一种MOS管过流保护电路，它包括MOS管及与之相连的负载，所述MOS管的通断控制端与MCU的输入输出口一1连接；所述MOS管的输出端与MCU的输入输出口二2连接。它能在不增加主电流回路负载，和在几乎不增加其他硬件成本和PCB元器件空间的情况下可靠实现MOS管的过流保护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种MOS管过流保护电路，它包括MOS管及与之相连的负载，其特征在于，所述MOS管的通断控制端与MCU的输入输出口一(1)连接；所述MOS管的输出端与MCU的输入输出口二(2)连接。
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