[实用新型]在一集成电路中的位准移位器电路及集成电路系统有效
| 申请号： | 201520643464.4 | 申请日： | 2015-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN205160496U | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 何富兴;黄谷波 | 申请（专利权）人： | 吉林克斯公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185;H03K3/356 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;安利霞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种在一集成电路中的位准移位器电路及集成电路系统，位准移位器电路包含多个场效晶体管，其被耦接以提供：一第一反相器，其具有一被配置以接收一具有一第一电源电压的输入信号的输入端口、一输出埠、以及一偏压埠；一第二反相器，其具有一耦接至第一反相器的输出埠的输入埠、一输出埠、以及一耦接至一第二电源电压的偏压端口；一二极管接法的场效晶体管，其耦接在第二电源电压与第一反相器的偏压埠之间；一与二极管接法的场效晶体管并联的第一场效晶体管，其具有一耦接至第二反相器的输出的闸极；以及一与二极管接法的场效晶体管以及第一场效晶体管并联的第二场效晶体管，其具有一被配置以接收一模式选择信号的闸极。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 中的 移位 电路 系统 | ||
【主权项】：
一种在一集成电路中的位准移位器电路，其特征在于，包括：多个场效晶体管(FET)，其被耦接以提供：一第一反相器，具有一被配置以接收一具有一第一电源电压的输入信号的输入端口、一输出埠、以及一偏压埠；一第二反相器，具有一耦接至所述第一反相器的所述输出埠的输入埠、一输出埠、以及一耦接至一第二电源电压的偏压端口；一二极管接法的场效晶体管，耦接在所述第二电源电压与所述第一反相器的所述偏压埠之间；一与所述二极管接法的场效晶体管并联的第一场效晶体管，具有一耦接至所述第二反相器的所述输出的闸极；以及一与所述二极管接法的场效晶体管以及所述第一场效晶体管并联的第二场效晶体管，其具有一被配置以接收一模式选择信号的闸极。
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